特長

高速加工・高生産性

高い安定性と信頼性を実現するため、独自技術によるファイバレーザーとバルクレーザーの技術を融合し、同クラスと比較してコンパクトでシンプルな構成に仕上げました。16Wの紫外レーザーにより、強化ガラスやセラミクスなど難加工材料にも高品位かつ高速に穴あけ、切断などの加工を可能としました。

ダウンタイムの最小化に貢献

モード同期法を用いた一般のピコ秒レーザーの場合、２～３年毎に部品劣化による種光源の定期交換が必要だったため、長期運用には多額のランニングコストが必要でした。
LDH-V1610では種光源にDFB半導体レーザーのゲインスイッチ法を採用し、すべての励起用半導体レーザーに信頼性の高いシングルエミッタタイプを採用しました。このため長期運用において従来のレーザーと比べて安価なランニングコストを実現しました。

高パルスエネルギー

種光源にDFB半導体レーザーを使用することで80μJ＠200kHzの高パルスエネルギーを実現。高速での穴あけや切断加工に高い能力を発揮します。
355nm紫外線ピコ秒レーザーは光吸収性が高く、1064nmレーザーと532nmレーザーでは実現が困難であった素材への高品位な加工を可能としました。

ビーム特性

波長	355nm
平均出力	≧16W
繰り返し周波数	200kHz～1000kHz
パルス幅	<15ps
ビーム径	φ2.2±0.5mm
拡がり角	<0.5 mrad (全角)
モード品質	M2<1.4
空間モード	TEM00

^∗1 性能保証環境温度安定性・・・動作保証温度範囲内±1℃

※本仕様は予告なく変更される場合があります。ご購入時に必ずご確認ください。

システム構成

レーザヘッド	W518 x D(917) x H170mm 66kg
レーザコントローラ	W430 x D(394) x H(192)mm 13kg
冷却方式	レーザヘッド（水冷）、コントローラ（空冷）
供給電源	単相　AC 100 ～ 240V ± 10%, 50/60Hz
消費電力	最大 2.75kW
外部制御	外部ゲート制御（ＴＴＬ）　通信制御：Ethernet
ウォームアップ時間	コールドスタート時 60min (typ.) 、ウォームスタート時 15min (typ.)
動作保証温度	15～30℃ *1
保管温度	0～50℃
湿度（動作時・保管時共）	10～85%RH 結露無きこと

^∗1 性能保証環境温度安定性・・・動作保証温度範囲内±1℃

※本仕様は予告なく変更される場合があります。ご購入時に必ずご確認ください。